特許
J-GLOBAL ID:200903014695332617
有機電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 市川 利光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-142353
公開番号(公開出願番号):特開2005-327797
出願日: 2004年05月12日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
【課題】有機電界効果トランジスタの特性の安定化をはかるとともに長寿命化をはかる。【解決手段】 本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜2にゲート絶縁膜3を介して設けられたゲート電極8と、前記ゲート電極8をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極6およびドレイン電極7とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極6および前記ドレイン電極7の少なくとも1方が、無機物からなる電荷注入層4、5を介して前記有機半導体膜2と当接していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
有機半導体材料からなる有機半導体膜にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極およびドレイン電極とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも1方が、無機物からなる電荷注入層を介してホールをキャリアとする前記有機半導体膜と当接していることを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
IPC (3件):
H01L29/786
, H01L21/336
, H01L51/00
FI (6件):
H01L29/78 616U
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 617U
, H01L29/78 617S
, H01L29/28
Fターム (49件):
5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF22
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG51
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK05
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK11
, 5F110HK14
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110NN02
, 5F110NN27
, 5F110NN36
, 5F110QQ06
引用特許: