特許
J-GLOBAL ID：201003014144833942

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
野沢 俊久

野沢 俊久 について

, 
石橋 清隆

石橋 清隆 について

, 
中西 敏雄

中西 敏雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-108624
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192934
出願日： 2010年05月10日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ,好適なプラズマ処理を行う。【解決手段】半導体ウエハWにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室101と,半導体ウエハWを,プラズマ処理室101内に配置するための載置台102と,該プラズマ処理室101内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置108とを少なくとも含むプラズマ処理装置100において,マイクロ波発生装置108に,断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体にプラズマ窒化処理および/又はプラズマ酸化処理を行うプラズマ処理装置であって, プラズマ処理室と, 前記プラズマ処理室内で前記被処理体を載置する載置台と, 前記載置台内に設けられ,前記被処理体を加熱するヒータと, 前記プラズマ処理室内にマイクロ波を透過させて導入する絶縁板と, 前記プラズマ処理室内に希ガスと,酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを供給するガス供給手段と, 前記プラズマ処理室内に前記処理ガスのプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と, 前記絶縁板の上面に設けられた複数のスロットを有する平面アンテナ(RLSA)部材と, 前記プラズマ処理室の側壁に配置された石英ガラス製のライナーと, 前記プラズマ発生手段から断続的にエネルギーを供給するよう前記プラズマ発生手段をON/OFFが10〜100KHz,Dutyが20%〜80%でON-OFF制御し,断続的なエネルギーを前記プラズマ処理室に供給することにより,前記処理ガスのプラズマの電子温度が0.5〜1.0eVを有するように制御する制御装置と,を有する。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/511
FI (5件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/316 A ,  H01L21/318 A ,  H05H1/46 B ,  C23C16/511
Fターム (52件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF15 ,  5F045EH02 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF54 ,  5F058BF60 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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