特許
J-GLOBAL ID：200903066880815527

絶縁膜の形成方法及びその形成装置

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について

, 
米田 健司

米田 健司 について

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石長 篤

石長 篤 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-266698
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077915
出願日： 2001年09月04日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ窒化方法において、絶縁膜へのダメージを低減する。【解決手段】 ウエハの半導体層上に形成された第1の絶縁膜をN(窒素)を含むプラズマに暴露し、N原子を第1の絶縁膜に導入して、第2の絶縁膜を形成する。その際、Nを含むプラズマ内にイオンが断続的に生じるように、プラズマ発生用の電力を印加する。Nを含むプラズマへの電力供給を周期的に変化させることで、ラジカル粒子の供給を長時間維持しつつ、イオンの存在時間を制限することができる。イオンによる絶縁膜中のダメージの発生を抑制することにより、絶縁膜の信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
ウエハの半導体層上に、少なくとも酸素が導入された第1の絶縁膜を形成する工程(a)と、上記第1の絶縁膜をN(窒素)を含むプラズマに暴露し、N原子を上記第1の絶縁膜に導入して、構成要素として酸素及び窒素を含む第2の絶縁膜を形成する工程(b)とを含み、上記工程(b)では、上記Nを含むプラズマ内にイオンが断続的に生じるように、上記プラズマ発生用の電力を印加することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X
Fターム (11件)：
5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (12件)
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