特許
J-GLOBAL ID：201003014246306050

半導体装置

発明者：
池田 良成

池田 良成 について


出願人/特許権者：
富士電機システムズ株式会社

富士電機システムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319392
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147053
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】半導体装置の電気的接続に関し、信頼性を向上させる。【解決手段】半導体素子20と、半導体素子20の電極20aに接触する導電板30と、半導体素子20及び導電板30とを封止する封止用樹脂40と、を有する半導体装置1において、封止用樹脂40の線膨張係数が導電板30の線膨張係数よりも小さく調整されている。このような半導体装置1であれば、半導体素子20が発熱しても、導電板30には圧縮応力が発生する。これにより、導電板30と電極20aとが強固に密接する。即ち、電気的接続に関し、信頼性の高い半導体装置1が実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子と、 前記半導体素子の電極に接触する導電板と、 前記半導体素子及び前記導電板とを封止する封止用部材と、 を有し、前記封止用部材の線膨張係数が前記導電板の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L21/60 321E ,  H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • パワー半導体モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347356   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
審査官引用 (6件)
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