半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-201588
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028286
出願日： 2006年07月25日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：

【課題】低パワーのレーザ光照射で、溶接バラツキの少ない溶接が高い再現性で実現できるように改良したリードフレームのレーザ溶接方法を提供する。【解決手段】絶縁基板にマウントした半導体チップの上面主電極にヒートスプレッダ5を搭載した上で、その内部配線用リード材としてストラップ状のリードフレーム6を絶縁基板の導体パターン,ヒートスプレッダ,入/出力端子の間に布設してその接合部を接合相手部材の上に重ね合わせ、この状態でリードフレームの接合部上面にレーザ光を照射して接合相手部材に重ね溶接した配線構造になる半導体装置の製造方法おいて、レーザ光を照射するリードフレーム5の接合部上面(ないしリードフレームの接合部裏面、または上面と裏面の双方)を粗面化した上で、リードフレームの接合部上面にレーザ光13を照射してリードフレーム/相手側部材(ヒートスプレッダ)の間を溶接接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体装置の内部配線用リード材としてのリードフレームの接合部を接合相手部材の上に重ね合わせ、この状態で前記接合部の上面にレーザ光を照射して前記リードフレームと前記接合相手部材とを重ね溶接してなる半導体装置の製造方法において、前記リードフレームのレーザ光照射面を粗面化した上で、この粗面にレーザ光を照射して溶接することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , H01L 23/48 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L23/50 A , H01L23/48 G , H01L21/60 321E

Fターム (4件)：

5F067AB10 , 5F067DA05 , 5F067DA20 , 5F067DF20

引用特許：

出願人引用 (3件)

パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-427683 出願人：株式会社豊田中央研究所
パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110313 出願人：三菱電機株式会社
レーザ光の吸収率向上方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-040351 出願人：日立造船株式会社

審査官引用 (9件)

溶接方法及び表面実装型部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-357061 出願人：ミヨタ株式会社
二次電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-065929 出願人：三洋電機株式会社
リードフレーム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-180797 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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