特許
J-GLOBAL ID：201003014716334870

近接場光発生素子および光アシスト磁気記録素子

発明者：
小谷 晃央

小谷 晃央 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297894
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123219
出願日： 2008年11月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】近接場光発生素子の動作を安定させて信頼性を高める。【解決手段】基板100上に、半導体レーザ素子10、光吸収導波路20、近接場光発生部30、磁界発生素子50が形成されている。半導体レーザ素子10は、井戸層が量子井戸面内方向に引っ張り歪を有しており、TM偏光した光を出射する。半導体レーザ素子10は、レーザ発振によるTM偏光以外に、自然放出によって生じたTE偏光をも出射する。光吸収導波路20は、井戸層が無歪又は量子井戸面内方向に圧縮歪を有する量子井戸吸収層を含んでおり、TE偏光の光を吸収する。したがって、光吸収導波路20の光出射端からはTM偏光の光のみが出射される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され、第1方向に偏光したレーザ光を出射する発振モードで発振する半導体レーザ素子と、 前記半導体レーザ素子の光出射端に近接するように前記基板上に形成され、前記第1方向と直交する第2方向に偏光した光を吸収する光吸収素子と、 前記光吸収素子の光出射端に近接するように前記基板上に形成された近接場光発生部とを備えていることを特徴とする近接場光発生素子。
IPC (6件)：
G11B 5/02 ,  H01S 5/026 ,  G02B 6/126 ,  G02B 6/12 ,  G11B 5/31 ,  G02F 1/01
FI (6件)：
G11B5/02 T ,  H01S5/026 618 ,  G02B6/12 E ,  G02B6/12 Z ,  G11B5/31 Z ,  G02F1/01 Z
Fターム (30件)：
2H079AA08 ,  2H079AA13 ,  2H079BA02 ,  2H079CA21 ,  2H079DA16 ,  2H079DA22 ,  2H079EA03 ,  2H079HA03 ,  2H079KA18 ,  2H147AB04 ,  2H147AB37 ,  2H147BA07 ,  2H147BA15 ,  2H147CA21 ,  2H147CB03 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147FA04 ,  2H147FA07 ,  2H147FC01 ,  2H147GA25 ,  5D033BA80 ,  5D091AA10 ,  5D091CC30 ,  5D091HH20 ,  5F173AA08 ,  5F173AD15 ,  5F173AF04 ,  5F173AH08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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