特許

J-GLOBAL ID：201003014916649646

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： リー、サン ヨル
出願人/特許権者： エルジー イノテック カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-513109
公開番号（公開出願番号）：特表2010-531058
出願日： 2008年06月18日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

実施例は半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。実施例による半導体発光素子は、第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層下に活性層と、前記活性層下に第2導電型半導体層と、を含む発光構造物と、前記発光構造物の下に反射電極層と、前記反射電極層の外側の周辺に周縁部保護層を含む。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層下に活性層と、前記活性層下に第2導電型半導体層と、を含む発光構造物と、 前記発光構造物の下に反射電極層と、 前記反射電極層の外側の周辺に周縁部保護層と、を含む半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/20 ,  H01L 33/38

FI (2件)：

H01L33/00 170 ,  H01L33/00 210

Fターム (7件)：

5F041AA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-288510   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体層を成長させる方法及びこれを利用する窒化物半導体発光素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-545225   出願人：ソウルナショナルユニヴァーシティーインダストリーファンデーション
• 半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-038752   出願人：ローム株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-263264   出願人：三洋電機株式会社