特許
J-GLOBAL ID：200903042213858807

窒化物半導体層を成長させる方法及びこれを利用する窒化物半導体発光素子

発明者：
ユン,イジュン

ユン,イジュン について

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クォン,スン-ヨン

クォン,スン-ヨン について

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ムン,ピルキュン

ムン,ピルキュン について


出願人/特許権者：
ソウル ナショナル ユニヴァーシティー インダストリー ファンデーション

ソウル ナショナル ユニヴァーシティー インダストリー ファンデーション について


代理人 (2件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-545225
公開番号（公開出願番号）：特表2007-515791
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
本発明はInリッチ(In-rich)InGaN量子井戸層を成長させる方法及びこれを利用する窒化物半導体発光素子に関するが、AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0<y≦1、0<x+y≦1)層上に第1窒化物半導体層を成長させる第1段階と、成長停止により第1窒化物半導体層の厚さを減少させる第2段階と、厚さが減少された第1窒化物半導体層上に第1窒化物半導体層より高いバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層を成長させる第3段階と、を含むことを特徴とする窒化物半導体層を成長させる方法及びこの窒化物半導体層を含む窒化物半導体発光素子を提供し、これにより局所キャリア準位の形成、高いキャリア閉込め効果及びエネルギーバンド構造での単一エネルギーレベルの形成による高効率の短波長紫外線光源の製作が可能になる。
請求項（抜粋）：
AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0<y≦1、0<x+y≦1)層上に第1窒化物半導体層を成長させる第1段階と、 成長停止により第1窒化物半導体層の厚さを減少させる第2段階と、 厚さが減少した第1窒化物半導体層上に第1窒化物半導体層より高いバンドギャップエネルギーを有する第2窒化物半導体層を成長させる第3段階と、を含むことを特徴とする窒化物半導体層の成長方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/52
FI (4件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/52
Fターム (31件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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