半導体発光素子およびその製法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-038752
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228855
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】窒化物半導体を用いた発光素子において、半導体層の劣化を防止し、逆方向電圧の印加や長時間動作に対しても半導体層が破壊し難く、かつ、信頼性の優れた窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1の表面に、窒化物半導体からなり第1導電形層(p形層5)および第2導電形層(n形層3)を含む半導体積層部6が形成され、その上に透光性導電層7およびp形層5に電気的に接続してp側電極8が設けられ、半導体積層部6の下層側のn形層3に電気的に接続してn側電極9が設けられている。このチップ周囲の半導体積層部6がエッチングにより除去されることにより、メサ状半導体積層部6aが形成され、そのメサ状半導体積層部6aが、平面形状で90°以下の角部を有しないで、そのコーナー部が曲線になるようにエッチングされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に設けられ、窒化物半導体からなり第1導電形層および第2導電形層を含む半導体積層部と、該半導体積層部の上に設けられる透光性導電層と、該透光性導電層上に設けられ、前記半導体積層部の表面側に設けられる第1導電形層に電気的に接続して設けられる第1電極と、前記半導体積層部の下層側の第2導電形層に電気的に接続して設けられる第2電極とからなり、前記半導体積層部の少なくともチップ周囲がエッチングされることによりメサ状半導体積層部が形成され、該メサ状半導体積層部が、平面形状で90°以下の角部を有しないで、そのコーナー部が曲線になるようにエッチングされてなる半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (17件)：

5F041AA23 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB11 , 5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338637 出願人：ローム株式会社

審査官引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011227 出願人：ローム株式会社
発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-296275 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-183048 出願人：日亜化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る