特許
J-GLOBAL ID：200903005366456837

半導体素子

発明者：
狩野 隆司

狩野 隆司 について

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畑 雅幸

畑 雅幸 について

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野村 康彦

野村 康彦 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263264
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080896
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】素子特性の低下を抑制することが可能な半導体素子を提供する。【解決手段】この半導体素子(窒化物系半導体レーザ素子)は、2種類の3族元素であるAlおよびGaと窒素とからなるAlGaN基板1と活性層5との間に、AlGaN基板1と同一の構成元素からなるとともに、Al0.07Ga0.93NからなるAlGaN基板1のAl組成比(7%)より高いAl組成比(15%)を有するAl0.15Ga0.85Nからなる高Al組成層2が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも2種類の3族元素と窒素とからなる半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される活性層と、 前記半導体基板と前記活性層との間の前記半導体基板の上面に形成されるとともに、前記半導体基板の構成元素と同一の構成元素からなり、かつ、前記構成元素の少なくとも2種類の3族元素の内、最も軽い元素の組成比が前記半導体基板の対応する元素の組成比よりも高い窒化物系半導体層とを備えた、半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C
Fターム (47件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA99 ,  5F041CB11 ,  5F173AA08 ,  5F173AF05 ,  5F173AF22 ,  5F173AF38 ,  5F173AG12 ,  5F173AG13 ,  5F173AG14 ,  5F173AG24 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ15 ,  5F173AK08 ,  5F173AK13 ,  5F173AP04 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AP33 ,  5F173AP43 ,  5F173AP47 ,  5F173AP53 ,  5F173AP54 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR82 ,  5F173AR83 ,  5F173AR84
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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