特許
J-GLOBAL ID：201003014954003415

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
鈴木 賢二

鈴木 賢二 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-038239
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192836
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】高い不純物の活性化率を保ちながら平滑な炭化珪素の表面が得られる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板1の表面層に不純物を注入する工程と、前記炭化珪素基板1の表面にカーボン膜7を成膜する工程と、活性化熱処理炉内に配置したサセプタの試料台22aに、前記カーボン膜7と前記サセプタとが接するように載置する工程と、前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法を採用する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
活性化熱処理炉を用いて炭化珪素基板の表面層に不純物領域を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 炭化珪素基板の表面層に不純物を注入する工程と、 前記炭化珪素基板の表面にカーボン膜を成膜する工程と、 活性化熱処理炉内に配置したサセプタの試料台に、前記カーボン膜と前記サセプタとが接するように載置する工程と、 前記カーボン膜を保護膜として前記炭化珪素基板を活性化熱処理する工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/265
FI (2件)：
H01L21/265 602A ,  H01L21/265 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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