特許
J-GLOBAL ID：200903017546029200

処理装置、トランジスタ製造方法

発明者：
勝俣 貴司

勝俣 貴司 について

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小室 健司

小室 健司 について

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鈴木 康正

鈴木 康正 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128492
公開番号（公開出願番号）：特開2008-283143
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2008年11月20日
要約：
【課題】SiC中のSi欠損を発生させずにSiC基板の不純物層をアニールする技術を提供する。【解決手段】本発明の処理装置10は、搬送室11と、高温熱処理室12と、前処理装置13を有している。処理対象物70は前処理装置13内の加熱装置22により加熱され、SiC基板71表面に形成された有機膜74は焼成され、SiC基板71表面には炭素皮膜76が形成される。炭素皮膜76が形成されたSiC基板71は高温熱処理装置12のアニール室40内において高温に加熱され、アニールされる。SiC基板71表面には炭素皮膜76が配置されているから、SiC基板71からのSiの欠損が生じない状態で不純物層をアニールすることが可能である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
搬送室と、 高温熱処理装置と、 前処理装置とを有し、 前記搬送室内には、処理対象物を搬送する基板搬送ロボットが配置された処理装置であって、 前記前処理装置は、前記前処理装置内に搬入された前記処理対象物を加熱する加熱装置を有し、 前記高温熱処理装置は、 前記基板搬送ロボットのハンドが挿入可能な高さに配置された準備室と、 前記準備室の上方に配置され、内部が前記準備室の内部と連通されたアニール室と、 前記準備室の内部と前記アニール室の内部の間を移動可能に配置され、前記準備室内に位置するときに、前記ハンド上に載置された前記処理対象物が移載される試料ステージと、 前記試料ステージを、前記準備室から前記アニール室に上昇させる昇降機構と、 前記アニール室内に配置され、前記準備室から前記アニール室内に到着した前記試料ステージ上の前記処理対象物の周囲を取り囲む発熱構造体と、 前記アニール室の周囲に設けられ、前記発熱構造体に電流を誘起させる誘導加熱コイルと、 前記アニール室内に熱媒体ガスを供給する熱媒体ガス供給装置とを有する処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/265
FI (6件)：
H01L21/324 G ,  H01L21/324 J ,  H01L21/324 X ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/265 602A
Fターム (4件)：
5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 国際公開第97/39476号パンフレット
審査官引用 (9件)
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