特許
J-GLOBAL ID：201003015223667078

シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法

発明者：
小野 敏昭

小野 敏昭 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-135730
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016366
出願日： 2009年06月05日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】反り量が小さい大口径のシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。【解決手段】チョクラルスキー法により育成され、ボロンとゲルマニウムとが添加されたシリコン単結晶インゴットをスライスして作製された直径300mm以上のシリコンウェーハ1であって、ボロン濃度が8.5×1018(atoms/cm3)以上ドープされ、ゲルマニウムが、式1の関係式を満たす範囲でドープされたシリコンウェーハ1の表面に、シリコンエピタキシャル層2を成長させた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により育成され、ボロンおよびゲルマニウムがドープされた単結晶インゴットをスライスして作製された直径300mm以上のシリコンウェーハであって、 ボロンが8.5×1018(atoms/cm3)以上の濃度でドープされ、 ゲルマニウムが、
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/06 502H ,  C30B15/04 ,  H01L21/20
Fターム (25件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077PB05 ,  4G077PB14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045DA59 ,  5F152LN05 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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