特許
J-GLOBAL ID：201003017002507397
SOI基板の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-256854
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141305
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウエーハ5もしくは酸化膜7付きシリコンウエーハ5にイオンを注入してイオン注入層2を形成する工程、前記透明絶縁性基板の前記表面、および、前記イオンを注入したウエーハの前記表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記ウエーハ5と前記透明絶縁性基板3とを貼り合わせる工程、貼り合わせた基板に150°C以上350°C以下の熱処理を加え、接合体6を得る工程、前記接合体6の透明絶縁性基板3側から前記ウエーハ5のイオン注入層2に向けて可視光を照射して前記イオン注入層2の界面を脆化し、シリコン薄膜を透明絶縁性基板3に転写しSOI層4を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板の表面にSOI層を形成してSOI基板を製造する方法であって、
シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハの表面からイオンを注入してイオン注入層を形成する工程、
前記透明絶縁性基板の前記表面、および、前記イオンを注入したシリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハの前記表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、
前記シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハと前記透明絶縁性基板とを貼り合わせる工程、
前記貼り合わせた基板に、150°C以上350°C以下の熱処理を加え、接合体を得る工程、
前記接合体の透明絶縁性基板側から前記シリコンウェーハもしくは酸化膜付きシリコンウェーハのイオン注入層に向けて可視光を照射して前記イオン注入層の界面を脆化し、シリコン薄膜を透明絶縁性基板に転写しSOI層を形成する工程をこの順に含むSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
