特許
J-GLOBAL ID：201003017605164133
窒化物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三好 秀和
, 伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267890
公開番号（公開出願番号）：特開2010-153838
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】ESD耐性を向上させるとともに、光抽出効率を向上させることのできる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板110と、基板上に形成され、上面に複数のV-ピット120aが形成されたn型窒化物半導体層120と、n型窒化物半導体層上に形成され、複数のV-ピット120aによって形成された屈曲を含む活性層130と、活性層上に形成され、上面に複数の突出部140aが形成されたp型窒化物半導体層140とを含むことを特徴とする。本発明によれば、n型窒化物半導体層120上に複数のV-ピット120aが形成されており、これによってp型窒化物半導体層140上にはインシチュー(in-situ)工程で突出部140aを形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成され、上面に複数のV-ピットが形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成され、前記複数のV-ピットによって形成された屈曲を含む活性層と、
前記活性層上に形成され、上面に複数の突出部が形成されたp型窒化物半導体層と
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/22
, H01L 33/32
, H01L 21/205
H01L33/00 172
, H01L33/00 186
, H01L21/205
5F041AA03
, 5F041AA23
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F045AA01
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB14
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF05
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045CA10
, 5F045DA54
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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