特許
J-GLOBAL ID：200903001127569284
半導体発光素子およびそれを用いた照明装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256826
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073630
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】発光層の材料としてAlGaInNを用いつつ紫外光の発光強度を従来構成に比べて高めることができる半導体発光素子および従来に比べて紫外光の高出力化が可能な照明装置を提供する。 【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶基板1の一表面側に第1のバッファ層2を介して形成されたn形窒化物半導体層3と、n形窒化物半導体層3の表面側に形成された発光層5と、発光層5の表面側に形成されたp形窒化物半導体層6とを備えている。発光層5がAlGaInN量子井戸構造を有し、n形窒化物半導体層3と発光層5との間に、発光層5の障壁層5aと同じ組成を有する第2のバッファ層4が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長用の単結晶基板の一表面側に第1のバッファ層を介して形成されたn形窒化物半導体層と、n形窒化物半導体層の表面側に形成された発光層と、発光層の表面側に形成されたp形窒化物半導体層とを備え、発光層がAlGaInN量子井戸構造を有し、n形窒化物半導体層と発光層との間に、発光層の障壁層と同じ組成を有する第2のバッファ層が設けられてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA40
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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