特許
J-GLOBAL ID：201003017968401820
シリカ被覆金ナノロッド及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-218108
公開番号（公開出願番号）：特開2010-053385
出願日： 2008年08月27日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】簡便かつ高収率で生産性が高く、不純物としてのシリカ粒塊が少ない非水系溶媒分散型シリカ被覆金ナノロッドを提供する。【解決手段】CTAB(Cetyltrimethyl ammonium bromide)が吸着された金ナノロッド表面を、ポリアクリル酸を主成分とする高分子で被覆し、次いでシリカで被覆し、さらにその表面を少なくとも1つ以上の長鎖アルキル基を有する加水分解性ケイ素化合物で表面修飾したシリカ被覆金ナノロッド。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
CTAB(Cetyltrimethyl ammonium bromide)が吸着された金ナノロッド表面を、分子量が25000以上のポリアクリル酸を主成分とする高分子で被覆し、次いでシリカで被覆し、さらにその表面を少なくとも1つ以上の長鎖アルキル基を有する加水分解性ケイ素化合物で表面修飾したことを特徴とするシリカ被覆金ナノロッド。
IPC (8件)：
B22F 1/02
, B22F 1/00
, C09C 3/10
, C09C 3/06
, C09C 3/08
, B22F 9/24
, B82B 1/00
, B82B 3/00
B22F1/02 D
, B22F1/00 K
, C09C3/10
, C09C3/06
, C09C3/08
, B22F9/24 E
, B22F9/24 F
, B82B1/00
, B82B3/00
, B22F1/02 B
4J037AA04
, 4J037CA24
, 4J037CB23
, 4J037CC16
, 4J037DD04
, 4J037EE04
, 4J037EE13
, 4J037EE28
, 4J037EE33
, 4J037EE48
, 4K017AA02
, 4K017BA02
, 4K017EK08
, 4K018AA02
, 4K018BA01
, 4K018BB10
, 4K018BC28
, 4K018BC30
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (2件)
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