基板処理装置と方法、半導体製造装置、半導体製造装置エンジニアリングシステムとシステム

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：志賀正武 , 鈴木三義 , 五十嵐光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-047221
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205796
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。【解決手段】CMP装置1の回転定盤17に取り付けた研磨パッド16とトップリング18との間に半導体ウエハWを保持して相対回転させてウエハWを研磨する。リンス水供給管11にリンス水流量調整弁13を設けて、研磨部2内の研磨パッド16に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部3には研磨した半導体ウエハWを洗浄用スポンジローラ26,27で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管12a、12bにリンス水流量調整弁14、14を設けて、洗浄用スポンジローラ26,27に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をt分とし、1回毎の純水の供給継続時間をdt秒として、下記の(1)式と(2)式を満足する。dt=20{1.6-exp(-0.01783t)} ......(1)、10≦t≦30 ......(2) 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回転可能な回転定盤に研磨パッドを取り付けて、該研磨パッドとトップリングとの間に基板を保持して前記研磨パッド上に純水または/及び超純水を供給しながら処理するようにした基板処理装置であって、前記純水または/及び超純水を研磨パッドに供給する供給管と、該供給管の開閉を制御する開閉制御手段と、該開閉制御手段の開閉を間欠的または連続して行う運転制御手段とを備え、前記研磨パッドが湿潤状態を維持できるように間欠的に純水または/及び超純水を供給するようにしたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , B24B 55/06 , B24B 37/04

FI (5件)：

H01L21/304 622Q , H01L21/304 622Z , B24B55/06 , B24B37/04 Z , H01L21/304 644C

Fターム (27件)：

3C047HH12 , 3C058AA09 , 3C058AC01 , 3C058AC04 , 3C058AC05 , 3C058BA09 , 3C058CA05 , 3C058CB03 , 3C058CB08 , 3C058DA17 , 5F157AA03 , 5F157AA70 , 5F157AA82 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157AB42 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BA07 , 5F157BA14 , 5F157CD21 , 5F157CD32 , 5F157CE62 , 5F157DB02 , 5F157DB38 , 5F157DB47

引用特許：

審査官引用 (4件)

研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-131401 出願人：株式会社ニコン
化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-391785 出願人：株式会社東芝
研磨方法及び研磨装置、並びに研磨装置制御用プログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-269843 出願人：株式会社荏原製作所

全件表示

前のページに戻る