特許
J-GLOBAL ID：200903078068553428

半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム

発明者：
青山 克彦

青山 克彦 について

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赤星 文彦

赤星 文彦 について

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後藤 薫一郎

後藤 薫一郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032135
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110066
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】CMP終了から洗浄までの間に、ウエーハの研磨面が雰囲気に暴露される時間をなくすことで、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるCMPを実現する研磨装置及び研磨システムを提供する。【解決手段】ウエーハ264をCMPした後、ヘッド265の周縁下部及びヘッド265の周縁外側近傍に表出する研磨パッド266の表面へ、第1噴射角で洗浄液(例えば純水)226aを噴射する。次いで、ヘッド265の上昇の初期に形成される研磨面264aと研磨パッド262の表面との隙間に、洗浄液266bを第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する。次いで、ヘッド265上昇とともに研磨面264aを追跡して洗浄液266bを噴射する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、 前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面とのなす噴射角を第1噴射角として前記洗浄液を噴射する工程と、 次いで、前記ヘッドを上昇する工程の初期に形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液を前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する工程と、 次いで、前記ヘッドを上昇するとともに、前記研磨面を追跡して前記洗浄液を噴射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/04
FI (2件)：
H01L21/304 622Q ,  B24B37/04 Z
Fターム (6件)：
3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB02 ,  3C058CB08 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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