特許
J-GLOBAL ID：201003018426931322

化合物半導体電子デバイス、化合物半導体集積電子デバイス及びエピタキシャル基板

発明者：
足立 真寛

足立 真寛 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050908
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206001
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。【解決手段】キャリア走行半導体層15はスペーサ半導体層17と支持体13との間に位置する。電子デバイス11では、基準軸Cxに対して傾斜した基準平面R2に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Pzも基準平面R2に対して傾斜した方向に向く。ピエゾ電界の平行な成分Pz(T)はヘテロ接合21に沿って延在する内部電界として働く。この内部電界はヘテロ接合21の二次元キャリアに作用して、ゲート電極19直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。内部電界の働きにより、ゲート電極19にゼロボルトが印加されているとき、二次元キャリアは、ゲート電極19直下のヘテロ接合21のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されない。電子デバイス11はノーマリ・オフ特性を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱構造の第1の化合物からなり、該ウルツ鉱構造のc軸方向に延びる基準軸に直交する第1の基準平面に対して傾斜する半極性主面を有する支持体と、 ウルツ鉱構造の第2の化合物からなり、前記支持体上に設けられたキャリア走行半導体層と、 ウルツ鉱構造の第3の化合物からなり、前記キャリア走行半導体層にヘテロ接合を成すスペーサ半導体層と、 前記支持体上に設けられ、前記ヘテロ接合におけるキャリア濃度を制御するゲート電極と、 前記支持体上に設けられたソース電極及びドレイン電極の一方である第1の電極と を備え、 前記基準軸は、前記半極性主面の法線に対して所定の方向に傾斜しており、 前記キャリア走行半導体層及び前記スペーサ半導体層は、前記半極性主面上に搭載されており、 前記ヘテロ接合は、前記基準軸に対して傾斜した第2の基準平面に沿って延びており、 前記キャリア走行半導体層は圧縮歪みを内包し、 前記第1の電極及び前記ゲート電極は、前記半極性主面上に延在する第1の軸に沿って配置されており、 前記第1の軸は、前記半極性主面上において前記所定の方向に延在する第2の軸に直交する第3の軸に交差し、前記第3の軸は前記半極性主面上に延在する、ことを特徴とする化合物半導体電子デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/365
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/365
Fターム (25件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB23 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF05 ,  5F045AF06 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DA62 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR12 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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