特許

J-GLOBAL ID：200903032747415824

半導体装置とその製造方法

発明者： 兼近 将一 ,  石黒 修 ,  伊藤 健治 ,  上杉 勉 ,  加地 徹 ,  杉本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-066515
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227356
出願日： 2007年03月15日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】 窒化物半導体結晶を用いる半導体装置において、ノーマリオフ動作が実現できるとともに製造が用意な構造を提供する。【解決手段】 半導体装置は、上側表面が(0001)結晶面である窒化物半導体結晶とゲート電極を備えている。前記窒化物半導体結晶の上側表面には、少なくとも一つのトレンチが形成されている。前記ゲート電極は、少なくとも前記トレンチの側面に絶縁層を介して対向している。そして、前記トレンチの側面の少なくとも一部は、(11-22)結晶面又は(1-101)結晶面であることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

上側表面が(0001)結晶面である窒化物半導体結晶とゲート電極を備えており、 前記窒化物半導体結晶の上側表面には、少なくとも一つのトレンチが形成されており、 前記ゲート電極は、少なくとも前記トレンチの側面に絶縁層を介して対向しており、 前記トレンチの側面の少なくとも一部は、(11-22)結晶面又は(1-101)結晶面であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/80

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/80 V

Fターム (18件)：

5F102GB01 ,  5F102GB05 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-146265   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-105163   出願人：ユーディナデバイス株式会社
• III族窒化物半導体を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-003368   出願人：株式会社豊田中央研究所
• GaN系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-023403   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-274738   出願人：株式会社東芝