半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-514810
公開番号（公開出願番号）：特表2008-543089
出願日： 2006年06月01日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層上に半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。

請求項（抜粋）：

半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜の成長と作製の方法であって、 (a)半極性成長方位を選択する工程と、 (b)前記選択された半極性成長方位の成長と融合する基板を選択する工程と、 (c)前記基板の表面上に平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレート層を成長する工程、および (d)前記半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレート層上に前記半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜を成長する工程とを備えることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (27件)：

5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA92 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F045DA62 , 5F173AA08 , 5F173AG11 , 5F173AH42 , 5F173AH44 , 5F173AP05 , 5F173AP24 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-211620
特開平2-211620
窒化物系半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-057983 出願人：住友電気工業株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る