特許
J-GLOBAL ID：201003018486888523

気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者：
萩原 好郎

萩原 好郎 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319734
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147080
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が0.4mm以上、0.8mm以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が0.0156mm2以上、0.0306mm2以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が0.4mm以上、0.8mm以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が0.0156mm2以上、0.0306mm2以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。
IPC (3件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/458
FI (3件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/205 ,  C23C16/458
Fターム (34件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031MA28 ,  5F031PA13 ,  5F031PA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045BB20 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045DP14 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EK02 ,  5F045EM02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM