特許
J-GLOBAL ID：201003019489491779

ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド、及び電極

発明者：
寺島 千晶

寺島 千晶 について

, 
藤嶋 昭

藤嶋 昭 について


出願人/特許権者：
東海旅客鉄道株式会社

東海旅客鉄道株式会社 について


代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-188619
公開番号（公開出願番号）：特開2010-024506
出願日： 2008年07月22日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：
【課題】ホウ素ドープダイヤモンド粒子の製造を容易化するために適用することができる、ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド及び電極を提供すること。【解決手段】CVD法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。前記基板の表面粗さは、0.5μm以下であることが好ましい。前記基板として、タングステン又はその酸化物から成る領域と、タングステンを含まない領域とが混在するものを用いることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
CVD法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 16/27 ,  C01B 31/06 ,  H01M 4/96
FI (3件)：
C23C16/27 ,  C01B31/06 A ,  H01M4/96 B
Fターム (44件)：
4G146AA04 ,  4G146AA17 ,  4G146AB01 ,  4G146AC02B ,  4G146AC20B ,  4G146AD23 ,  4G146AD29 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA40 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146CB09 ,  4K030AA01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA27 ,  4K030CA01 ,  4K030CA02 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030LA11 ,  5H018AA07 ,  5H018AS07 ,  5H018BB07 ,  5H018EE02 ,  5H018EE05 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018HH00 ,  5H026AA08 ,  5H026BB04 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE11 ,  5H026EE12 ,  5H026HH00
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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