特許
J-GLOBAL ID：200903084712294021

ダイヤモンド被覆基板、電気化学的処理用電極、電気化学的処理方法及びダイヤモンド被覆基板の製造方法

発明者：
関 裕一郎

関 裕一郎 について

, 
泉 健二

泉 健二 について

, 
今井 貴浩

今井 貴浩 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-241172
公開番号（公開出願番号）：特開2008-063607
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が1μm2以上100mm2以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は3〜100μmが好ましく、基板表面の粗さはRa0.1μm以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Nb、Ta、Zr、Wのいずれかであることが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該導電性ダイヤモンド層を構成する導電性ダイヤモンドの連続している部分における最大面積が1μm2以上100mm2以下であり、かつ該基板の表面の粗さが、Ra0.1μm以上Ra100μm以下であることを特徴とするダイヤモンド被覆基板。
IPC (6件)：
C23C 16/27 ,  C25B 11/10 ,  C23C 8/12 ,  C02F 1/461 ,  C23C 16/04 ,  C30B 29/04
FI (6件)：
C23C16/27 ,  C25B11/10 Z ,  C23C8/12 ,  C02F1/46 101C ,  C23C16/04 ,  C30B29/04 G
Fターム (43件)：
4D061DA08 ,  4D061DB19 ,  4D061DC08 ,  4D061EA03 ,  4D061EB04 ,  4D061EB12 ,  4D061EB17 ,  4D061EB29 ,  4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB16 ,  4G077DB21 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077FE03 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4K011AA21 ,  4K011AA66 ,  4K011DA10 ,  4K011DA11 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB14 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA04 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030JA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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