特許
J-GLOBAL ID：201003019716534110
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-115364
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267647
出願日： 2009年05月12日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】メサ型のフォトダイオードを有する光通信用素子等の半導体装置において、メサ上部への配線の寄生容量を低減し、応答特性の高速化を図る。【解決手段】基板11表面に形成されフォトダイオードのカソードなるn型高濃度層12a上にn型クラッド層12b、吸収層12c、p型クラッド層12d及びp型高濃度層12eの積層体をメサ型に形成する。当該積層体の側面及びn型高濃度層12aの側面は、互いに連続して基板11表面からp型高濃度層12eまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。基板11上に配置された水平配線19aとフォトダイオードのアノードとなるp型高濃度層12eとの層間を接続する配線19dは当該壁面に沿って配置される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板表面に積層され第1電圧を印加される下部層、前記下部層の上にメサ型に形成される中間層、及び前記中間層の上に積層され第2電圧を印加される上部層を含む半導体素子と、前記基板表面に積層された配線層から前記上部層に前記第2電圧を供給する層間接続配線と、を有する半導体装置において、
前記中間層の側面及び前記下部層の側面は、互いに連続して前記基板表面から前記上部層まで到達する壁面を形成する部分を有し、
前記層間接続配線は、前記壁面に沿って配置されること、
を特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA03
, 5F049NA15
, 5F049NB01
, 5F049PA14
, 5F049QA02
, 5F049QA06
, 5F049QA20
, 5F049SE09
, 5F049SE15
, 5F049SS04
, 5F049SZ03
