表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127680
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324233
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】単純な構造ながら電極パッド部に起因する浮遊容量を低減する効果を発揮し、かつ特性の均一性や歩留りを向上させること、ワイヤボンディング等に要求される電極構造としての強度を改善させることを目的とする。【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、半導体基板1と、半導体基板1上に形成される第1のポスト構造のレーザ素子部20と、半導体基板1上に形成される第2のポスト構造の電極パッド部30とを有する。電極パッド部30は、レーザ素子部20のコンタクト層6に電気的に接続されかつコンタクト層から延在する金属層11を含む。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成される頂部にコンタクト領域を持つ第1のポスト構造を含むレーザ素子部と、前記基板上に形成される第2のポスト構造を含む電極部とを有し、前記電極部は、前記コンタクト領域に電気的に接続されかつ前記コンタクト領域から延在する導体層を含む、表面発光型半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/183

FI (2件)：

H01S 5/042 612 , H01S 5/183

Fターム (11件)：

5F073AA61 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA04 , 5F073DA25 , 5F073DA27 , 5F073DA30 , 5F073DA35 , 5F073EA14 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-138903 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ素子及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-124300 出願人：古河電気工業株式会社
発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-182519 出願人：株式会社東芝

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