特許
J-GLOBAL ID：201003020183479323

炭化珪素半導体基板とその製造方法

発明者：
俵 武志

俵 武志 について


出願人/特許権者：
富士電機システムズ株式会社

富士電機システムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226779
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062348
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】低価格で低抵抗な炭化珪素半導体基板とその製造方法を提供すること。【解決手段】0.05μmから2.00μmの範囲の厚さを有する炭化珪素半導体基板の薄層1cと、該薄層1cの一方の主面に堆積される半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層7と、前記薄層1cの他方の主面に堆積され支持基板となるグラファイト層4と該グラファイト層4の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜5aとを備える炭化珪素半導体基板とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
0.05μmから2.00μmの範囲の厚さを有する炭化珪素半導体基板の薄層と、該薄層の一方の主面に堆積される半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層と、前記薄層の他方の主面に堆積され支持基板となるグラファイト層と該グラファイト層の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜とを備えることを特徴とする炭化珪素半導体基板。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/56
FI (6件)：
H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C23C16/26 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56
Fターム (23件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA37 ,  4K030BB13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA12 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • エピタキシャル成長層の形成方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-520718   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
  • 画像化方法および装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-582529   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
審査官引用 (3件)

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