特許
J-GLOBAL ID：200903014216534235
エピタキシャル成長層の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
花村 太
, 佐藤 正年
, 佐藤 年哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520718
公開番号（公開出願番号）：特表2006-528592
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成法に関する。この方法は、a)支持基板(1)内に原子種を注入して基板内に薄肉支持層(13)と基板残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、b)薄肉支持層(13)の表面に直接又はその上に移載された中間層(5, 23, 31, 31)を介してエピタキシーを行うことによりエピタキシャル成長層(6)を成長させる工程、及びc)外部エネルギーの意図的な印加により脆弱ゾーン(12)に沿って基板残余部分(11)を薄肉支持層(13)から分離する工程を備えたことを特徴とする。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
請求項（抜粋）：
光学、光電子工学又は電子工学分野で利用されるエピタキシャル成長層(6、6’)を形成する方法であって、
i)支持基板となる第1基板(1、1’)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13、13’)と支持基板の残余部分(11、11’)との境界を画定する脆弱ゾーン(12、12’)を形成する工程、
ii)薄肉支持層(13、13’)の表面に直接にエピタキシーを実行することによりエピタキシャル成長層(6,6’)を成長させる工程、
iii)外部エネルギーの意図的な印加により支持基板内の脆弱ゾーン(12、12’)に沿って支持基板(1、1’)の残余部分(11、11’)を薄肉支持層(13、13’)から分離する工程、及び
iv)薄肉支持層(13、13’)を除去してエピタキシャル成長層(6、6’)を得る工程、
を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長層の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 25/18
, C30B 29/38
, C30B 29/36
, H01L 33/00
, H01L 21/205
C30B25/18
, C30B29/38 D
, C30B29/36 A
, H01L33/00 A
, H01L21/205
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE05
, 4G077EE06
, 4G077EE08
, 4G077EF01
, 4G077FJ03
, 4G077HA01
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F045AB06
, 5F045AB14
, 5F045BB12
, 5F045HA05
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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