結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-156253
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311342
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】キャリア濃度が低く、ホール移動度が高く及びエネルギーバンドギャップが大きい結晶酸化物半導体を提供する。【解決手段】インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たす結晶酸化物半導体。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム及び1種以上の金属元素Mを含み、 X線吸収分光法により求められる動径分布関数(RDF)において、原子間距離が0.3nmから0.36nmの間のRDFの最大値をA、原子間距離が0.1nm〜0.2nmの間のRDFの最大値をBとした場合に、0.1<A/B<1の関係を満たす結晶酸化物半導体。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , C01G 15/00 , C23C 14/08

FI (5件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , C01G15/00 B , C23C14/08 D

Fターム (39件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK33 , 5F110PP10 , 5F110PP13

引用特許：

出願人引用 (6件)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059905 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
導電性透明基材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-132030 出願人：出光興産株式会社

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審査官引用 (8件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258264 出願人：キヤノン株式会社
半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-334501 出願人：出光興産株式会社
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082043 出願人：科学技術振興事業団

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引用文献：

審査官引用 (1件)

非晶性透明導電膜IZOの電気特性と構造

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