特許

J-GLOBAL ID：201003020958056165

ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 太宰 尚宏 ,  金子 文武 ,  大下 京子 ,  瀬下 武広 ,  松沢 賢介 ,  土屋 純一
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271119
公開番号（公開出願番号）：特開2010-026480
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

【課題】レジストパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、特定構造の構成単位(a0)を有し、かつ、前記酸発生剤成分(B)が、特定構造で表されるアニオン部を有する酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記基材成分(A)が、下記一般式(a0)で表される構成単位(a0)を有し、 かつ、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(Ia)で表されるアニオン部を有する酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 502R

Fターム (37件)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL16P ,  4J100AL26P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA11P ,  4J100BA15P ,  4J100BA40P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BB07P ,  4J100BB18P ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC58P ,  4J100CA01 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-178336   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-315315   出願人：信越化学工業株式会社
• ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-064337   出願人：信越化学工業株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-115310   出願人：住友化学株式会社