炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：高橋省吾 , 稲葉忠彦 , 村上加奈子 , 中鶴一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-110208
公開番号（公開出願番号）：特開2010-262952
出願日： 2009年04月29日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：

【課題】イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】この発明にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層の表層にイオン注入により環状のイオン注入領域を選択的に形成する工程と、前記イオン注入領域が形成された前記炭化珪素層を活性化アニールする工程と、前記炭化珪素層の表面の全面に犠牲酸化膜を形成する工程と、前記イオン注入領域にあたる前記犠牲酸化膜上にフォトレジストを形成する工程と、前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲酸化膜を除去する工程と、前記フォトレジストと前記犠牲酸化膜をマスクとして前記犠牲酸化膜と前記活性化アニールの際に前記炭化珪素層の表層に形成される変質層を除去する工程とを備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

炭化珪素層の表層にイオン注入により環状のイオン注入領域を選択的に形成する工程、前記イオン注入領域が形成された前記炭化珪素層を活性化アニールする工程、前記炭化珪素層の表面の全面に犠牲酸化膜を形成する工程、前記イオン注入領域にあたる前記犠牲酸化膜上にフォトレジストを形成する工程、前記フォトレジストをマスクとして前記犠牲酸化膜を除去する工程、前記フォトレジストと前記犠牲酸化膜をマスクとして前記犠牲酸化膜と前記活性化アニールの際に前記炭化珪素層の表層に形成される変質層を除去する工程、を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01L29/48 D , H01L29/48 E , H01L21/265 Z

Fターム (20件)：

4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD26 , 4M104DD28 , 4M104DD64 , 4M104DD68 , 4M104EE01 , 4M104EE15 , 4M104FF13 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH18

引用特許：

出願人引用 (3件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-227650 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
特許第3733792号
特許第3963154号

審査官引用 (4件)

炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-338416 出願人：三菱電機株式会社
炭化珪素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-160054 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-331025 出願人：三菱電機株式会社

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