特許
J-GLOBAL ID：200903083406203563

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
樽井 陽一郎

樽井 陽一郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-338416
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153358
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】 絶縁膜中に存在する耐電圧性能に影響を与える固定電荷を、簡易な方法により除去可能とする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n+型の炭化珪素基板1上にエピタキシャル結晶成長法により形成されたn-型の炭化珪素層2からなる炭化珪素ウエハの表面内に、イオン注入法によりp-型の電界緩和領域4を形成する工程と、この電界緩和領域4上に化学気相成長法により絶縁膜7を形成する工程と、この絶縁膜7の表層部をエッチング法により除去して絶縁膜7 ́とする工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 第1導電型の炭化珪素ウエハの表面内に第2導電型の電界緩和領域を形成する工程と、 前記電界緩和領域上に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の表層部を除去する工程と、 を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (10件)：
H01L29/91 B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 658J ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 D ,  H01L21/283 B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 F ,  H01L29/91 F
Fターム (15件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104EE12 ,  4M104FF21 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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