特許

J-GLOBAL ID：200903051230246806

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 木下 明将 ,  福田 憲司 ,  八尾 勉 ,  西 孝 ,  岡本 光央
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227650
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053418
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】 活性化後に生じる汚染又は損傷等により劣化した炭化珪素表面上のショットキー電極形成による漏洩電流の問題を解決し、高耐圧SBDを効率良く製造するプロセスを提供することを課題とする。【解決手段】 ショットキー電極の終端領域の下の第1導電型の低濃度の炭化珪素膜2に、イオン注入により第2導電型の領域3を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された40nm以上の二酸化珪素層7を除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

ショットキー電極の終端領域の下の第1導電型の低濃度の炭化珪素膜に、イオン注入により第2導電型の領域を形成し高温活性化処理する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、第1導電型の低濃度の炭化珪素膜上へのショットキー電極形成に先立って、上記高温活性化処理する工程後に、上記炭化珪素膜表面を犠牲酸化する工程及び犠牲酸化により形成された40nm以上の二酸化珪素層を除去する工程を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L29/48 D ,  H01L29/48 P

Fターム (9件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD78 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6905916号明細書
  

審査官引用 (4件)

• SiCショットキーダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226065   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-019451   出願人：新電元工業株式会社
• 横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-207630   出願人：日本インター株式会社
• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-148180   出願人：日産自動車株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所