バリア性向上のための酸素/窒素遷移領域を含むメッキシード層

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：上野剛史 , 太佐種一 , 市位嘉宏 , 坂口博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-534600
公開番号（公開出願番号）：特表2009-512191
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】別個の拡散層及びシード層を利用する必要性を排除した、導電性材料、好ましくはCuの、向上した拡散特性を有するメッキシード層を含む相互接続構造体を提供すること。【解決手段】特に、本発明は、相互接続金属の拡散特性向上のためにメッキシード層内に酸素/窒素遷移領域を設ける。メッキシード層はRu、Ir又はそれらの合金を含むことができ、相互接続導電性材料は、Cu,Al、AlCu、W、Ag、Auなどを含むことができる。好ましくは、相互接続導電性材料はCu又はAlCuである。より詳細に言えば、本発明は、上部及び底部シード領域間に挟持された酸素/窒素遷移領域を含む単一のシード層を提供する。メッキシード層内に酸素/窒素遷移領域が存在することで、メッキシードの拡散バリア抵抗が顕著に向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

底部及び上部メッキシード領域の間に位置する酸素/窒素遷移領域を含むメッキシード層であって、前記メッキシード層が3nm以上のフィルム厚さで750°C以上の破壊温度を有するメッキシード層。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/288 , H05K 3/18 , H05K 3/24

FI (5件)：

H01L21/88 R , H01L21/88 A , H01L21/288 E , H05K3/18 B , H05K3/24 A

Fターム (106件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104DD88 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH05 , 5E343AA02 , 5E343AA22 , 5E343BB24 , 5E343BB28 , 5E343BB40 , 5E343BB47 , 5E343BB52 , 5E343BB55 , 5E343BB57 , 5E343BB61 , 5E343DD22 , 5E343GG11 , 5E343GG13 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH31 , 5F033HH32 , 5F033HH35 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ31 , 5F033JJ32 , 5F033JJ35 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033LL03 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ78 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR01 , 5F033RR02 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR23 , 5F033RR29 , 5F033SS21 , 5F033TT01 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033XX01 , 5F033XX02 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-189526 出願人：トレセンティテクノロジーズ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253794 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-053318 出願人：日本電気株式会社

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