特許
J-GLOBAL ID：201003022804063048
ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-299866
公開番号（公開出願番号）：特開2010-128003
出願日： 2008年11月25日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】エッチングによる加工形状の制御性を向上したハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板Sに形成された半透過層11を有する半透過部HAと、半透過層11とイオン化傾向が異なる遮光層14が半透過層11に積層されてなる遮光部PAとを備えたハーフトーンマスク10であって、半透過層11と遮光層14との間に挟まれて半透過層11と遮光層14との間を電気的に絶縁する酸化物層13を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス基板に形成された半透過層を有する半透過部と、
イオン化傾向が前記半透過層と異なるエッチングストッパ層と、遮光層とが前記半透過層に積層されてなる遮光部と
を備えたハーフトーンマスクであって、
前記遮光層が前記エッチングストッパ層と接する界面に電気的に絶縁する絶縁酸化物層を備えたことを特徴とするハーフトーンマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB03
, 2H095BC04
, 2H095BC24
