特許
J-GLOBAL ID：201003023262549980

種結晶から鋳造シリコンを製造するための方法および装置

発明者：
ストッダード,ネイサン・ジー

ストッダード,ネイサン・ジー について

, 
クラーク,ロジャー・エフ

クラーク,ロジャー・エフ について


出願人/特許権者：
ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド

ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  阿久津 勝久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-517140
公開番号（公開出願番号）：特表2010-534179
出願日： 2008年07月16日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
請求項（抜粋）：
鋳造シリコンを製造する方法であって、 結晶のシリコンの種結晶層をるつぼ内に装填するステップと、 固体のシリコン原料を前記るつぼ内に装填するステップと、 蓋を前記るつぼの開口部にかぶせるステップと、 前記蓋の少なくとも1つの孔を通して、前記るつぼ内に不活性ガスを流し込むステップと、 前記蓋の少なくとも1つの他の孔を通して、前記るつぼから前記不活性ガスを抜き出すステップと、 前記種結晶層の一部を固体状態に維持しつつ前記シリコン原料を溶融するステップと、 シリコンの固形物を形成するステップと、 前記固形物を冷却するステップとを含む、方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06 ,  C30B 11/00 ,  C01B 33/02 ,  H01L 31/04
FI (5件)：
C30B29/06 501Z ,  C30B11/00 Z ,  C01B33/02 Z ,  H01L31/04 X ,  H01L31/04 A
Fターム (40件)：
4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072GG04 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072LL03 ,  4G072MM38 ,  4G072NN02 ,  4G072RR12 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CD04 ,  4G077CD08 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EB06 ,  4G077EG01 ,  4G077EG11 ,  4G077EG21 ,  4G077EG25 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077MA01 ,  4G077MB06 ,  4G077MB21 ,  4G077MB32 ,  4G077MB33 ,  4G077MB35 ,  5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151DA03 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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