半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：酒井宏明 , 田代至男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-292915
公開番号（公開出願番号）：特開2010-171416
出願日： 2009年12月24日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】耐圧特性を向上させ且つリーク電流を低減することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法を提供する。【解決手段】HFET100は、支持基板であるサファイア基板101と、サファイア基板101上のバッファ層102と、バッファ層102上のキャリア走行層103と、キャリア走行層103上のキャリア供給層104と、キャリア供給層104上に離間して設けられたソース106sおよびドレイン106dと、キャリア供給層104上におけるソース106sとドレイン106dとの間に設けられたゲート107と、キャリア供給層104上を覆う絶縁膜105と、を備える。キャリア供給層104は、カーボン濃度が2×1017cm-3以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系化合物半導体からなる第1化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層上の少なくとも一部に形成され、前記第1化合物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物系化合物半導体からなる第2化合物半導体層と、を有し、前記第2化合物半導体層は、カーボン濃度が2×1017cm-3以上であり、かつ、カーボン濃度が1×1020cm-3以下であり、前記第2化合物半導体層上に該第2化合物半導体層との間にショットキー界面を形成する金属膜を形成した場合、逆方向バイアス電圧を200Vとしたときの逆方向リーク電流が1×10-4A/cm2以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L29/48 D , H01L29/48 F

Fターム (50件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102FA00 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (4件)

MIS型電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-330777 出願人：古河電気工業株式会社
III-V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-305918 出願人：古河電気工業株式会社
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-055304 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

全件表示

前のページに戻る