特許

J-GLOBAL ID：201003024578436793

電流センサ

発明者： 新地 信幸 ,  岡田 章
出願人/特許権者： 甲神電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297318
公開番号（公開出願番号）：特開2010-101871
出願日： 2008年10月23日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】 従来の、バイアス磁界発生部を有する構成の磁気センサでは、バイアス磁界発生部にて発生したバイアス磁界の方向調整が、容易ではなかった。【解決手段】 電流検知デバイスを含むセンサ基板上に、少なくとも1つは発生する磁界強度が可変可能であるバイアス磁界発生部を少なくとも2つ備え、電流検知デバイスは複数のバイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に設置する構成としたため、バイアス磁界の方向を容易に可変でき、高精度な測定が可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第1および第4の磁気抵抗効果素子と、 前記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第2および第3の磁気抵抗効果素子と、 前記設置基板上に配置され、前記第1から第4の磁気抵抗効果素子を接続することにより、前記第1および第2の磁気抵抗効果素子による第1のハーフブリッジ回路、および前記第3および第4の磁気抵抗効果素子による第2のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、前記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に前記第1のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に前記第2のハーフブリッジ回路が配置された電流検知デバイスと、少なくとも1つのU字型形状を有する一次導体と、少なくとも1つは発生する磁界強度が可変可能であるバイアス磁界発生部を少なくとも2つ備え、 前記電流検知デバイスは複数の前記バイアス磁界発生部によって挟まれた領域内に、かつ前記電流検知デバイスの前記設置基板の中心線と前記一次導体のU字型形状の対称軸が略一致するように設置したことを特徴とする電流センサ。

IPC (1件)：

G01R 15/20

FI (1件)：

G01R15/02 A

Fターム (4件)：

2G025AA07 ,  2G025AA12 ,  2G025AB01 ,  2G025AC04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267456   出願人：ルストアントリープステヒニクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-123827   出願人：富士通株式会社
• 磁気デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-136320   出願人：株式会社フジクラ

審査官引用 (2件)

• 電流センサおよびその設置方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-005351   出願人：三菱電機株式会社, 甲神電機株式会社
• 電流センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-300554   出願人：TDK株式会社