電流センサおよびその設置方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：田澤博昭 , 加藤公延 , 田澤英昭 , 濱田初音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005351
公開番号（公開出願番号）：特開2007-187530
出願日： 2006年01月12日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】温度等による等方性の伸びまたは歪による測定誤差を低減する電流センサを得る。【解決手段】設置基板2の中心線3に対して分けられた一方の領域にハーフブリッジ回路7aが配置されると共に、他方の領域にハーフブリッジ回路7bが配置され、ハーフブリッジ回路7a,7bは、その設置基板2の中心点4に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されるようにする。温度等により、磁気抵抗効果素子5a〜5cの設置基板2に等方性に伸びまたは歪が発生しても、ブリッジ回路8としては、ハーフブリッジ回路7aとハーフブリッジ回路7bとで均等に伸びまたは歪の影響を受けるので、それら影響を相殺することができ、温度等による等方性の伸びまたは歪による測定誤差を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

設置基板上に配置され、互いに逆方向の磁界の増加に応じて抵抗値が共に増加する磁気抵抗効果特性を有する第1および第4の磁気抵抗効果素子と、上記設置基板上に配置され、互いに逆方向の上記磁界の増加に応じて抵抗値が共に減少する磁気抵抗効果特性を有する第2および第3の磁気抵抗効果素子と、上記設置基板上に配置され、上記第1から第4の磁気抵抗効果素子を接続することにより、上記第1および第2の磁気抵抗効果素子による第1のハーフブリッジ回路、および上記第3および第4の磁気抵抗効果素子による第2のハーフブリッジ回路からなるブリッジ回路を構成する接続電流線とを備え、上記設置基板の中心線に対して分けられた一方の領域に上記第1のハーフブリッジ回路が配置されると共に、他方の領域に上記第2のハーフブリッジ回路が配置され、それら第1および第2のハーフブリッジ回路は、その設置基板の中心点に対して、相互に点対称に等しく構成され、配置されたことを特徴とする電流センサ。

IPC (1件)：

G01R 15/20

FI (1件)：

G01R15/02 A

Fターム (3件)：

2G025AA09 , 2G025AB01 , 2G025AC02

引用特許：

出願人引用 (1件)

センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-267456 出願人：ルストアントリープステヒニクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (6件)

センサチップ及びセンサを用いて電流を測定する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-267456 出願人：ルストアントリープステヒニクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123827 出願人：富士通株式会社
特開昭64-021329

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