特許
J-GLOBAL ID：201003025350364292
光電変換素子
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
中山 亨
, 坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-299268
公開番号（公開出願番号）：特開2010-041022
出願日： 2008年11月25日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。【解決手段】陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有し、該活性層がn型半導体とp型半導体とを有し、該n型半導体と該p型半導体とのpn接合の面積が、活性層1μm3あたり100μm2以上である光電変換素子。pn接合の面積が、活性層1μm3あたり300μm2以下であることが好ましい。また、光電変換素子中の活性層がフラーレン誘導体と高分子化合物とを含むことが好ましい。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に活性層を有し、該活性層がn型半導体とp型半導体とを有し、該n型半導体と該p型半導体とのpn接合の面積が、活性層1μm3あたり100μm2以上である光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F051AA11
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F151AA11
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
