半導体用合成石英ガラス基板の加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-189393
公開番号（公開出願番号）：特開2010-194705
出願日： 2009年08月18日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【解決手段】回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に1〜500mm2の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。【効果】本発明によれば、IC等の製造に重要な光リソグラフィー法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、比較的簡便でかつ安価な方法でEUVリソグラフィーにも対応可能な平坦度の極めて高い基板を得ることができる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

回転型小型加工ツールの研磨加工部を半導体用合成石英ガラス基板表面に1〜500mm2の接触面積で接触させ、基板表面上を前記研磨加工部を回転させながら走査させて、基板表面を研磨することを特徴とする半導体用合成石英ガラス基板の加工方法。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , C03C 19/00 , B24B 7/24

FI (4件)：

B24B37/04 B , B24B37/04 D , C03C19/00 Z , B24B7/24 C

Fターム (23件)：

3C043BA07 , 3C043BA12 , 3C043BA14 , 3C043BB07 , 3C043CC07 , 3C043DD01 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA11 , 3C058AA12 , 3C058AA14 , 3C058AC02 , 3C058BA02 , 3C058BA04 , 3C058BA05 , 3C058BB02 , 3C058BB06 , 3C058BC02 , 3C058CA06 , 3C058CB01 , 3C058DA02 , 4G059AA08 , 4G059AC03

引用特許：

審査官引用 (5件)

化学機械研磨方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-193907 出願人：キヤノン株式会社
特開平3-117560
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-103624 出願人：株式会社ニコン

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