特許

J-GLOBAL ID：201003027352386067

薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ

発明者： 八重樫 裕之
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-199671
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040645
出願日： 2008年08月01日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】本発明の目的は、高ON/OFF比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある【解決手段】ゲート電極2を形成する工程、ゲート絶縁膜3を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層6を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも2つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該2つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域(未低抵抗化領域)が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記2つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に少なくとも、 (1)ゲート電極を形成する工程、 (2)該ゲート電極を被覆してゲート絶縁膜を形成する工程、 (3)該ゲート絶縁膜に接して酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、 (4)該活性層に接して該活性層より低い電気伝導度を有する酸化物半導体よりなる抵抗層を形成する工程、 (5)該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも2つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該2つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域(未低抵抗化領域)が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び (6)前記2つの低抵抗領域の一方と接してソース電極及び他方と接してドレイン電極を形成するソース・ドレイン電極形成工程を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/363

FI (8件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616L ,  C01G15/00 B ,  C01G15/00 D ,  C23C14/34 N ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/363

Fターム (101件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA11 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA00 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL08 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103NN10 ,  5F103PP20 ,  5F103RR05 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE12 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK27 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK39 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 酸化物半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258268   出願人：キヤノン株式会社
• 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258276   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-126320   出願人：凸版印刷株式会社