薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-126320
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299913
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】安定性に優れ、高移動度であり、フレキシブルディスプレイの画素部や駆動部に適した薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁基板上にゲート電極を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極、ソース電極が配置されており、ソース電極とドレイン電極の間隙を含むように酸化物半導体パターンが配置されている薄膜トランジスタ装置であって、該酸化物半導体パターン上に、封止層を有する。封止層が無機絶縁膜であり、例えば酸化窒化シリコンである。または、フッ素化樹脂である。また、少なくとも画素電極上には封止層を有しない。さらに封止層上に、画素電極部に開口を有する層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜上に、開口部で画素電極と接続された上部画素電極を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたドレイン電極、ソース電極とを有し、少なくとも前記ドレイン電極とソース電極の間隙部分に酸化物半導体パターンが配置されている薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体パターン上に封止層を設けた、ことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (4件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 627C , G02F1/1368

Fターム (60件)：

2H092GA17 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092JB64 , 2H092JB69 , 2H092KA06 , 2H092KB24 , 2H092MA01 , 2H092MA05 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 5F110AA17 , 5F110AA21 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-308806 出願人：カシオ計算機株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-217738 出願人：三菱化学株式会社

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