特許
J-GLOBAL ID：201003028291671584

多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物

発明者：
田中 正人

田中 正人 について

, 
今野 圭二

今野 圭二 について

, 
山口 佳一

山口 佳一 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 小島 清路 ,  萩野 義昇 ,  谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-013645
公開番号（公開出願番号）：特開2010-107932
出願日： 2009年01月23日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】組成物中において経時変化により発生する異物が増加することがなく保存安定性に優れており、且つ、レジスト膜との密着性及びレジストパターンの再現性に優れると共に、現像液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して十分な耐性を有するシリコン含有膜を形成可能な多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物を提供する。【解決手段】本シリコン含有膜形成用組成物は、ポリシロキサン(A)並びに有機溶媒(B)を含有しており、有機溶媒(B)として、アルコール系有機溶媒(B1)を1〜50質量%、及び式(2)で表される有機溶媒(B2)を1〜30質量%〔但し、有機溶媒(B)全体を100質量%とする〕含むことを特徴とする多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物。 〔式(2)において、mは1〜3の整数を示す。〕【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表される化合物の加水分解物及びその縮合物若しくはいずれか一方からなるポリシロキサン(A)、並びに、有機溶媒(B)を含有しており、 前記有機溶媒(B)として、アルコール系有機溶媒(B1)を1〜50質量%、及び下記式(2)で表される有機溶媒(B2)を1〜30質量%〔但し、有機溶媒(B)全体を100質量%とする〕含むことを特徴とする多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物。 R1aSi(OR2)4-a (1) 〔式(1)において、R1は、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜15のエステル基、炭素数1〜10のスルホンアミド基、又は、炭素数3〜20のアクリル骨格若しくはメタクリル骨格を有する基を示す。R2は、1価の有機基を示す。aは0〜3の整数を示す。〕
IPC (6件)：
G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  C09D 183/04 ,  C09D 7/12 ,  C09D 5/25
FI (7件)：
G03F7/11 502 ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/26 511 ,  C09D183/04 ,  C09D7/12 ,  C09D5/25
Fターム (21件)：
2H025AA09 ,  2H025AA11 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025DA14 ,  2H025DA25 ,  2H096AA25 ,  2H096KA08 ,  2H096KA21 ,  4J038DL051 ,  4J038DL091 ,  4J038DL121 ,  4J038JA20 ,  4J038JA68 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA04 ,  4J038NA12 ,  4J038NA26 ,  4J038PB09 ,  5F046HA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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