特許
J-GLOBAL ID：200903020337627648

エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法

発明者：
荻原 勤

荻原 勤 について

, 
浅野 健

浅野 健 について

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岩淵 元亮

岩淵 元亮 について

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上田 貴史

上田 貴史 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-284615
公開番号（公開出願番号）：特開2007-164148
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【解決手段】被加工基板上に下層膜、その上にケイ素含有膜、更にその上にフォトレジスト膜を形成した後、多段階のエッチングを行う多層レジスト法の中間膜に使用するケイ素含有膜形成用組成物において、下記一般式(1) R(6-m)Si2Xm (1)(Rは一価炭化水素基、Xはアルコキシ基、アルカノイルオキシ基又はハロゲン原子、mは6≧m≧3。)で示されるケイ素-ケイ素結合を有するシラン化合物を含有する、加水分解性シランの単独又は混合物を加水分解縮合して得たケイ素含有ポリマーを含有するエッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物。【効果】本発明の組成物は、その上に形成したフォトレジストの良好なパターンを形成でき、有機材料との間で高いエッチング選択性が得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
被加工基板上に下層膜を形成し、その上にケイ素含有膜を形成し、更にその上にフォトレジスト膜を形成した後、多段階のエッチングを行う多層レジスト法の中間膜に使用するケイ素含有膜形成用組成物において、少なくとも1種の下記一般式(1) R(6-m)Si2Xm (1)
IPC (4件)：
G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/26 ,  G03F 7/40
FI (4件)：
G03F7/11 ,  H01L21/30 573 ,  G03F7/26 511 ,  G03F7/40 521
Fターム (56件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025DA29 ,  2H025DA40 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096EA05 ,  2H096GA08 ,  2H096JA04 ,  2H096KA08 ,  2H096KA19 ,  4J038DL032 ,  4J038DL042 ,  4J038DL161 ,  4J038JC13 ,  4J038KA03 ,  4J038KA04 ,  4J038NA23 ,  4J038PB09 ,  4J246AA11 ,  4J246AA17 ,  4J246BA310 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB45X ,  4J246BB451 ,  4J246CA13X ,  4J246CA130 ,  4J246CA26X ,  4J246CA260 ,  4J246CA560 ,  4J246CA640 ,  4J246CA660 ,  4J246CA680 ,  4J246CA69X ,  4J246CA690 ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246FE33 ,  4J246GA01 ,  4J246GA11 ,  4J246GC52 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA15 ,  4J246HA63 ,  5F046NA06 ,  5F046NA17 ,  5F046NA19
引用特許：
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (3件)

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