熱処理方法およびシステム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 吉田裕 , 岩本行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-277663
公開番号（公開出願番号）：特開2010-093282
出願日： 2009年12月07日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】イオン活性化および格子修復の目的のための半導体ウェハのアニーリングに加えて、他の用途も、半導体ウェハなど加工物を熱処理するための改善方法を提供する。【解決手段】加工物を中間温度まで予熱すること、加工物の表面を中間温度よりも高い所望の温度まで加熱すること、および加工物の冷却を促進することを含む。冷却の促進は、加工物によって熱放出された放射を吸収することを含むことができる。半導体加熱方法および装置も開示される。装置30は、半導体ウェハの第1の表面42を加熱するための第1の熱源40と、半導体ウェハの第2の表面46を加熱するための第2の熱源44と、第1の熱源40と半導体ウェハ34との間に配置された第1の冷却窓65とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ワークピースを熱処理する方法であり、中間温度までワークピースを予熱する段階と、ワークピースの熱伝導時間より短い時間で、中間温度より高い所望温度までワークピースの全表面を加熱する段階と、ワークピースの冷却を促進する段階と、を有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01L 21/26 , F27D 9/00 , F27D 11/02

FI (4件)：

H01L21/265 602B , H01L21/26 G , F27D9/00 , F27D11/02 C

Fターム (4件)：

4K063AA05 , 4K063BA12 , 4K063EA01 , 4K063FA13

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭60-258928
急速熱処理用炉
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-528579 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-056637 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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