特許
J-GLOBAL ID：201003031529202961

半導体装置

発明者：
小林 寛隆

小林 寛隆 について

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秋山 健太郎

秋山 健太郎 について

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松下 直樹

松下 直樹 について

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江崎 孝之

江崎 孝之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-279473
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109137
出願日： 2008年10月30日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】開口部の底部に電極パッドとして露出させた外部接続電極に接続ツールを用いて導電体を接続する場合に、電極パッドの面積を拡大することなく、接続ツールの先端が開口部の縁に接触することを回避可能な仕組みを提供する。【解決手段】半導体素子層7と、半導体素子層7の一方の面側に、複数の配線層13,15,17と複数の層間絶縁膜12,14,16,18により形成された積層配線部11と、複数の配線層のうちの一つに形成された外部接続電極17aと、外部接続電極17aの表面を露出させる状態で半導体素子層7から積層配線部11にかけて凹状に形成された開口部22とを備える固体撮像装置の構成として、外部接続電極17aから遠い方の開口径d1が、外部接続電極17aに近い方の開口径d2より大きくなるように、開口部22を形成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子層と、 前記半導体素子層の一方の面側に、複数の配線層と複数の層間絶縁膜により形成された積層配線部と、 前記複数の配線層のうちの一つに形成された外部接続電極と、 前記外部接続電極の表面を露出させる状態で前記半導体素子層から前記積層配線部にかけて凹状に形成された開口部とを備え、 前記開口部は、前記外部接続電極から遠い方の開口径が、前記外部接続電極に近い方の開口径より大きく形成されている 半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L21/88 T
Fターム (28件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30 ,  5F033GG03 ,  5F033HH11 ,  5F033KK08 ,  5F033MM17 ,  5F033NN31 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-011415   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (7件)
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