特許

J-GLOBAL ID：200903098688881930

固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法

発明者： 横山 孝司 ,  岩淵 信
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-092905
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285814
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】 金属や金属不純物等の拡散により光電変換素子が影響を受けない構成の固体撮像素子を提供する。【解決手段】 光電変換素子PDが形成された半導体基体4と、この半導体基体4の表面側の絶縁層7内に形成された電極層29とを少なくとも有する構成の固体撮像素子10において、半導体基体4の裏面側から電極層29に達する開口31が形成され、少なくとも、光電変換素子PDと開口31との間の半導体基体4に、拡散防止領域15を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

光電変換素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の表面側の絶縁層内に形成された電極層とを少なくとも有する構成の固体撮像素子であって、 前記半導体基体の裏面側から前記電極層に達する開口が形成され、 少なくとも、前記光電変換素子と前記開口との間の前記半導体基体に、拡散防止領域が形成されている ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (14件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA19 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33

引用特許：

出願人引用 (2件)

• X-Yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-210270   出願人：ソニー株式会社
• 光起電力装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-072400   出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体イメージセンサ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-174062   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019271   出願人：シャープ株式会社
• ウエハ・パッシベーション構造および製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-526962   出願人：インテル・コーポレーション
• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-269722   出願人：ソニー株式会社