特許
J-GLOBAL ID:200903035607849629

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤島 洋一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-011415
公開番号(公開出願番号):特開2005-209677
出願日: 2004年01月20日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 低コストな電気的接続方法により、支持基板を介せず容易に外部との電気接合を行うことのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 素子層11の表面に固体撮像素子20が形成されている。素子層11の固体撮像素子20側には、層間絶縁膜61および金属配線層62A,62B,62Cを間にして支持基板70が貼り合わせられている。支持基板70を貼り合わせていない裏側には、開口部52が設けられており、この開口部52に対応して外部接続電極51が形成されている。厚い支持基板70を介して外部接続電極51を形成する困難な作業を不要とすることができ、素子層11の裏側で容易に外部との電気接合を行うことができる。開口部52の側面に保護膜12を設け、吸湿などによる影響を抑制する。また、開口部52を介して外部接続電極51に電気的に接続された電極パッドを更に備えるようにしてもよい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に半導体素子を有する素子層と、 この素子層の半導体素子側に、層間絶縁膜を介して積層された複数の金属配線層と、 前記素子層の半導体素子側に前記層間絶縁膜および前記金属配線層を間にして貼り合わせられた支持基板と、 前記素子層の裏側から半導体素子側へ向けて設けられた開口部と、 この開口部に対応して形成された外部接続電極と を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L27/146
FI (1件):
H01L27/14 A
Fターム (13件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118CA03 ,  4M118CA32 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る